收藏本站
V40100PW
www.vishay.com
Vishay General Semiconductor
Revision: 22-Dec-13
3
Document Number: 89179
For technical questions within your region: DiodesAmericas@vishay.com, DiodesAsia@vishay.com, DiodesEurope@vishay.com
THIS DOCUMENT IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE. THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT
ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
Fig. 3 - Typical Instantaneous Forward Characteristics Per Diode
Fig. 4 - Typical Reverse Characteristics Per Diode
Fig. 5 - Typical Juncti
on Capacitance Per Diode
Fig. 6 - Typical Transient Thermal Impedance Per Diode
PACKAGE OUTLINE DIMENSIONS in inches (millimeters)
Instantaneous
Forward Voltage (V)
0 0.2 0.4 0.6 0.7 0.80.1 0.3 0.5
100
10
1
0.1
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
In
s
tantaneou
s
Forward Current (A)
20 30 40 50 60 70 80 90 100
1
0.1
0.01
0.001
100
10
Percent of Rated Peak Reverse Voltage (%)
TA
= 150 °C
TA
= 125 °C
TA
= 25 °C
In
s
tantaneou
s
Rever
s
e Current (mA)
1 10 100
0.1
Reverse Voltage (V)
Junction Cap
acitance (p
1000
F)
10 000
100
TJ
= 25 °C
f = 1.0 MHz
Vsig
= 50 mV
p-p
0.01 0.1 1 10 100
t - Pulse Duration (s)
10
1
0.1
Tran
s
ient Thermal Impedance (°C/W)
TO-3PW
0.645 (16.38)
0.625 (15.87)
0.323 (8.20)
0.313 (7.95)
0.245 (6.23)
0.225 (5.72)
0.840 (21.34)
0.820 (20.83)
0.170 (4.32)
? 0.146 (3.71)
? 0.136 (3.45)
0.090 (2.29)
0.080 (2.03)
0.131 (3.33)
0.121 (3.07)
0.048 (1.22)
0.044 (1.12)
0.225 (5.72)
0.205 (5.21)
0.565 (14.35)
0.545 (13.84)
0.160 (4.06)
0.140 (3.56)
0.551 (14.00)
0.537 (13.64)
0.077 (1.96)
0.063 (1.60)
0.079 (2.01)
0.065 (1.65)
0.467 (11.86)
0.453 (11.51)
5° Ref.
Both
Side
s
R0.155 (R3.94)
R0.145 (R3.68)
3° Ref.
30° Ref.
10° Typ.
Both
Side
s
3° Ref.
3° Ref.
0.050 (1.27)
0.175 (4.45)
0.165 (4.19)
0.030 (0.75)
0.020 (0.50)
0.098 (2.50)
0.083 (2.12)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
V50100PW-M3/4W DIODE SCHTKY DUAL 100V 25A TO3PW
V60200PGW-M3/4W DIODE SCHTKY DUAL 200V 30A TO3PW
V80100PW-M3/4W DIODE SCHTKY DUAL 100V 40A TO3PW
VB20200C-E3/8W DIODE 20A 200V DUAL SCHOTTKY
VB20200G-E3/8W DIODE 20A 200V DUAL SCHOTTKY
VBT1045CBP-E3/8W DIODE SCHOTTKY 5A 45V
VBT2045CBP-E3/8W DIODE SCHOTTKY 10A 45V
VBT3045CBP-E3/8W DIODE SCHOTTKY 15A 45V
相关代理商/技术参数
V40100PW-M34W 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V4010DFO 功能描述:电线导管 FIBERREADY ENTRANCE END F RoHS:否 制造商:Panduit 类型:Slotted SideWall Open finger design wiring cut 材料:Polypropylene 颜色:Light Gray 大小: 最大光束直径: 抗拉强度: 外部导管宽度:25 mm 外部导管高度:25 mm
V40120C 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40120C_08 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.43 V at IF = 5 A
V40120C_11 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier
V40120C-E3/45 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
V40120C-E3/4W 功能描述:肖特基二极管与整流器 40 Amp 120 Volt Dual TrenchMOS RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 产品:Schottky Diodes 峰值反向电压:2 V 正向连续电流:50 mA 最大浪涌电流: 配置:Crossover Quad 恢复时间: 正向电压下降:370 mV 最大反向漏泄电流: 最大功率耗散:75 mW 工作温度范围:- 65 C to + 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-143 封装:Reel
V40120CHM3/4W 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:40A,120V,TRENCH SKY RECT.